与数字、模拟芯片只选择CMOS工艺所不同，射频PA可选的工艺众多，比如：
- GaAs
- GaN
- CMOS
- SiGe
- LDMOS
- InP
这些工艺选择已经让设计师们犯了难，再加上“频率”、“功率”维度，工艺选择就更加困难。
所以，“ 某个应用下PA应该选什么工艺？”，成了PA设计中旷日持久的讨论热点。虽然有一些定性的参考可以帮助选择，比如说：
- CMOS工艺更适合低功率、低成本应用；
- GaAs工艺更适合较大功率应用；
- GaN可应用于高频极大功率等。
但这些参考太过定性。有没有清晰直观的数据参考，来指导大家设计中进行工艺选择呢？
乔治亚理工的Hua Wang教授团队就将2000年至今发表在知名期刊的3,813篇文章做了统计，得出了PA工艺与频率、饱和功率间的关系图。
Dr. Hua Huang教授还给出了不同统计维度下的数据统计结果，如分不同工艺PA的饱和功率、频率统计。
Hua Wang教授团队不仅将统计结果给出来，而且还给出了原始数据，点击阅读原文，可下载统计结果的原始excel文件。
对Hua Wang教授的整理和分享表示由衷的感谢！
参考文献：
[1].Hua Wang, Tzu-Yuan Huang, Naga Sasikanth Mannem, Jeongseok Lee, Edgar Garay, David Munzer, Edward Liu, Yuqi Liu, Bryan Lin, Mohamed Eleraky, Hossein Jalili, Jeongsoo Park, Sensen Li, Fei Wang, Amr S. Ahmed, Christopher Snyder, Sanghoon Lee, Huy Thong Nguyen, and Michael Edward Duffy Smith, “Power Amplifiers Performance Survey 2000-Present,” [Online]. Available: https://gems.ece.gatech.edu/PA_survey.html
